| Osa numero | AOTF10N50FD |
|---|---|
| Valmistaja | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Kuvaus | MOSFET N-CH 500V 10A TO220F |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Määrä saatavilla | Varastossa |
| lomakkeissa | AOTF10N50FD(1).pdfAOTF10N50FD(2).pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package | TO-220-3F |
| Sarja | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 5A, 10V |
| Tehonkulutus (Max) | 50W (Tc) |
| Pakkaus | Ota yhteyttä sähköpostitse:sales@antdic.com |
| Pakkaus / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika | 26 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 1240pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| FET tyyppi | N-Channel |
| FET Ominaisuus | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 500V |
| Yksityiskohtainen kuvaus | N-Channel 500V 10A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220-3F |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
