| Osa numero | HGTP3N60A4D |
|---|---|
| Valmistaja | Fairchild/ON Semiconductor |
| Kuvaus | |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | |
| Määrä saatavilla | Varastossa |
| lomakkeissa | HGTP3N60A4D(1).pdfHGTP3N60A4D(2).pdf |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 3A |
| Testaa kunto | 390V, 3A, 50 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C | 6ns/73ns |
| Switching Energy | 37µJ (on), 25µJ (off) |
| Toimittaja Device Package | TO-220AB |
| Sarja | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR) | Ota yhteyttä sähköpostitse:sales@antdic.com |
| Virta - Max | 70W |
| Pakkaus | Tube |
| Pakkaus / Case | TO-220-3 |
| Muut nimet | HGTP3N60A4D_NL HGTP3N60A4D_NL-ND |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Syötetyyppi | Standard |
| IGBT Tyyppi | - |
| Gate Charge | 21nC |
| Yksityiskohtainen kuvaus | IGBT 600V 17A 70W Through Hole TO-220AB |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM) | 40A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max) | 17A |
