| Număr parc | SI8261BCC-C-IS |
|---|---|
| Producător | Energy Micro (Silicon Labs) |
| Descriere | DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC |
| Condiții libere de stare / stare RoHS: | Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS |
| cantitate valabila | In stoc |
| Foi de date | SI8261BCC-C-IS.pdf |
| Tensiune - Aprovizionare | 13.5 V ~ 30 V |
| Tensiune - Izolare | 3750Vrms |
| Tensiune - înainte (Vf) (tip) | 2.8V (Max) |
| Tehnologie | Capacitive Coupling |
| Pachetul dispozitivului furnizor | 8-SOIC |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Timp de creștere / înălțime (tip) | 5.5ns, 8.5ns |
| Pulse Width Distortion (Max) | emailul de contact:sales@antdic.com |
| Timp de propagare tpLH / tpHL (Max) | 60ns, 50ns |
| ambalare | Tube |
| Pachet / Caz | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Alte nume | 336-2420-5 |
| Temperatura de Operare | -40°C ~ 125°C |
| Număr de canale | 1 |
| Tipul de montare | Surface Mount |
| Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Producător Standard Timp de plumb | 6 Weeks |
| Condiții de stare fără plumb / stare RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| descriere detaliata | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-SOIC |
| Curent - ieșire maximă | 4A |
| Curent - ieșire ridicată, scăzută | 500mA, 1.2A |
| Curent - DC înainte (dacă) (max) | 30mA |
| Modul comun de imunitate tranzitorie (Min) | 35kV/µs |
| Aprobări | CQC, CSA, UR, VDE |
