| Număr parc | IRFHM792TRPBF |
|---|---|
| Producător | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descriere | MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN |
| Condiții libere de stare / stare RoHS: | Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS |
| cantitate valabila | In stoc |
| Foi de date | IRFHM792TRPBF.pdf |
| Vgs (a) (Max) @ Id | 4V @ 10µA |
| Pachetul dispozitivului furnizor | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195 mOhm @ 2.9A, 10V |
| Putere - Max | 2.3W |
| ambalare | Tape & Reel (TR) |
| Pachet / Caz | 8-PowerVDFN |
| Alte nume | emailul de contact:sales@antdic.com |
| Temperatura de Operare | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipul de montare | Surface Mount |
| Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Condiții de stare fără plumb / stare RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds | 251pF @ 25V |
| Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 10V |
| Tipul FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Standard |
| Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) | 100V |
| descriere detaliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2.3A 2.3W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C | 2.3A |
| Numărul părții de bază | IRFHM792PBF |
