| Număr parc | SI2312CDS-T1-GE3 |
|---|---|
| Producător | Vishay Precision Group |
| Descriere | MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23 |
| Condiții libere de stare / stare RoHS: | Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS |
| cantitate valabila | In stoc |
| Foi de date | SI2312CDS-T1-GE3.pdf |
| Vgs (a) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Tehnologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Pachetul dispozitivului furnizor | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31.8 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Distrugerea puterii (Max) | 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) |
| ambalare | emailul de contact:sales@antdic.com |
| Pachet / Caz | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Alte nume | SI2312CDS-T1-GE3TR SI2312CDST1GE3 |
| Temperatura de Operare | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipul de montare | Surface Mount |
| Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Condiții de stare fără plumb / stare RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds | 865pF @ 10V |
| Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
| Tipul FET | N-Channel |
| FET Feature | - |
| Tensiunea de transmisie (valorile max. | 1.8V, 4.5V |
| Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) | 20V |
| descriere detaliata | N-Channel 20V 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
