| Număr parc | SI4835DDY-T1-E3 |
|---|---|
| Producător | Vishay Precision Group |
| Descriere | MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC |
| Condiții libere de stare / stare RoHS: | Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS |
| cantitate valabila | In stoc |
| Foi de date | SI4835DDY-T1-E3.pdf |
| Vgs (a) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Tehnologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Pachetul dispozitivului furnizor | 8-SO |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 10A, 10V |
| Distrugerea puterii (Max) | 2.5W (Ta), 5.6W (Tc) |
| ambalare | emailul de contact:sales@antdic.com |
| Pachet / Caz | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Alte nume | SI4835DDY-T1-E3DKR |
| Temperatura de Operare | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipul de montare | Surface Mount |
| Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Producător Standard Timp de plumb | 27 Weeks |
| Condiții de stare fără plumb / stare RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds | 1960pF @ 15V |
| Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Tipul FET | P-Channel |
| FET Feature | - |
| Tensiunea de transmisie (valorile max. | 4.5V, 10V |
| Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) | 30V |
| descriere detaliata | P-Channel 30V 13A (Tc) 2.5W (Ta), 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
